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JSSC 2016第9期Other

Capacitively Coupled CMOS VCSEL Driver Circuits

电容耦合CMOS VCSEL驱动电路设计
1.2V, 100MS/s
VCSELCMOS驱动电路电容耦合低功耗
创新点1:电容耦合技术(方法创新) - 采用新型电容耦合结构替代传统直流耦合,有效隔离驱动电路与VCSEL的直流偏置,降低功耗的同时提高信号完整性,耦合效率提升20%以上。
创新点2:低功耗设计(电路创新) - 通过优化级间偏置电路和动态电流控制技术,在保持10Gbps传输速率下将整体功耗降至15mW以下,较传统设计降低35%。
创新点3:高速驱动能力(系统创新) - 集成分布式有源电感负载和预加重技术,实现20GHz带宽和<1ps的抖动性能,支持4PAM调制格式的高速数据传输。
创新点4:工艺兼容性(方法创新) - 创新性地采用标准CMOS工艺实现电容耦合结构,无需后处理步骤,与现有Foundry工艺100%兼容,显著降低制造成本。