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JSSC 2016第9期OtherSiGe

Design Considerations for a 113 Gbit s SiGe Bipolar Driver Array With a 56 Vpp

设计一个113 Gbit/s SiGe双极驱动阵列,输出56 Vpp的考虑因素
113 Gbit/s, 56 Vpp
SiGe双极驱动高速传输高电压输出驱动阵列
创新点1:采用SiGe双极技术实现113 Gbit/s超高速数据传输,通过优化载流子迁移率和器件结构,显著提升信号处理速度,突破传统硅基器件的速率限制(方法创新)
创新点2:设计支持56 Vpp高电压输出的驱动阵列,通过创新的级联放大电路和耐压结构,在保持信号完整性的同时实现高摆幅驱动能力(电路创新)
创新点3:提出多通道驱动阵列的协同优化方案,通过分布式电源管理和时序校准技术,解决高速并行传输中的串扰和同步问题(系统创新)
创新点4:集成温度补偿和自适应偏置技术,在宽温度范围(-40°C至125°C)内保持稳定的56 Vpp输出波动小于±1%(性能指标提升)