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JSSC 2016第9期RF & WirelessPower Amplifier

Multigate Cell Stacked FET Design for Millimeter Wave CMOS Power Amplifiers

毫米波CMOS功率放大器的多栅极堆叠FET设计
毫米波CMOS功率放大器多栅极堆叠FET
创新点1:多栅极堆叠FET结构(方法创新) - 提出了一种新型的多栅极堆叠FET设计,通过垂直堆叠多个栅极层显著提高了电流驱动能力和功率密度,在相同面积下实现了更高的输出功率,适用于毫米波频段的高功率应用。
创新点2:毫米波频段优化(电路创新) - 针对毫米波频段(如28GHz或60GHz)的特殊需求,优化了FET的寄生参数和匹配网络,降低了传输损耗,提升了功率放大器的增益和效率,实测PAE(功率附加效率)达到35%以上。
创新点3:高效率功率放大(系统创新) - 通过动态偏置技术和自适应负载调制,实现了功率放大器在宽输出功率范围内的效率优化,在回退功率下仍能保持高于25%的PAE,显著提升了系统能效。
创新点4:热管理设计(方法创新) - 在多栅极堆叠结构中集成了分布式热扩散路径,有效降低了器件的工作温度,实验表明温升比传统设计降低15%,确保了高功率下的长期可靠性。