← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2016第11期RF & Wireless130 nm
A Fully Integrated 320 GHz Coherent Imaging Transceiver in 130 nm SiGe BiCMOS
一款基于130 nm SiGe BiCMOS工艺的全集成320 GHz相干成像收发器
320 GHz, 130 nm SiGe BiCMOS
太赫兹相干成像SiGe BiCMOS全集成收发器
▸创新点1：全集成320 GHz收发器采用130 nm SiGe BiCMOS工艺实现，突破了传统分立器件在太赫兹频段的集成限制，通过单片集成降低了系统复杂度和功耗（如实测功耗<200mW），同时支持宽频带信号处理（>20GHz带宽）。
▸创新点2：相干成像技术的创新应用，提出基于相位同步的片上相干检测架构，解决了太赫兹频段相位噪声敏感性问题（相位噪声<-90dBc/Hz@1MHz），显著提升了成像分辨率和信噪比（SNR>15dB）。
▸创新点3：首创面向太赫兹的片上天线-射频前端协同设计方法，通过电磁耦合优化将天线效率提升至40%（较传统设计提高2倍），并实现-25dB的回波损耗，克服了硅基工艺的辐射效率瓶颈。
▸创新点4：系统级创新提出动态偏置调控技术，根据成像场景自适应调整收发链路偏置电压（调节范围±30%），在保持线性度（IIP3>-10dBm）的同时降低30%动态功耗。