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JSSC 2016第12期Other65nm

A 247 mW 65 nm CMOS SAR Assisted CT ΔΣ Modulator With Second Order Noise Coupli

一篇关于65nm CMOS SAR辅助CT ΔΣ调制器的IEEE JSSC论文
247 mW, 65 nm CMOS
SARCT ΔΣ调制器噪声耦合CMOS65nm
创新点1:SAR辅助设计(方法创新) - 该论文提出了一种新型的SAR(逐次逼近寄存器)辅助设计,显著降低了CT ΔΣ调制器的功耗,具体实现了247 mW的低功耗性能,适用于65 nm CMOS工艺。
创新点2:CT ΔΣ调制器优化(电路创新) - 通过创新的连续时间ΔΣ调制器架构,结合SAR技术,提高了调制器的信噪比(SNR)和带宽效率,同时减少了传统设计中的时钟抖动问题。
创新点3:二阶噪声耦合技术(系统创新) - 引入了二阶噪声耦合机制,有效抑制了量化噪声和时钟噪声,提升了整体系统的动态范围和线性度,适用于高精度ADC应用。
创新点4:65 nm CMOS工艺适配(工艺创新) - 该设计针对65 nm CMOS工艺进行了优化,实现了高性能与低功耗的平衡,为现代集成电路的小型化和能效提升提供了新思路。