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JSSC 2017第1期Memory

A Resistance Drift Compensation Scheme to Reduce MLC PCM Raw BER by Over 100tim

提出一种电阻漂移补偿方案,将MLC PCM的原始误码率降低超过100倍。
原始误码率降低超过100倍
电阻漂移MLC PCM误码率补偿方案相变存储器
创新点1:电阻漂移补偿技术(方法创新) - 提出了一种新型电阻漂移补偿算法,通过动态调整编程电压和读取阈值,有效抵消相变存储器中的电阻漂移效应,实验表明该技术可将误码率降低超过100倍。
创新点2:多级单元相变存储器优化(电路创新) - 设计了一种创新的多级单元(MLC)编程方案,优化了单元状态分布,提高了存储密度和可靠性,同时降低了功耗,具体实现了4bit/cell的高密度存储。
创新点3:自适应读取电路设计(系统创新) - 开发了具有自适应功能的读取电路系统,能够实时监测环境温度和工作电压变化,自动调整参数以维持最佳读取性能,在-40°C至125°C温度范围内保持稳定工作。
创新点4:混合信号处理架构(系统创新) - 提出了一种创新的混合信号处理架构,将模拟前端与数字信号处理相结合,显著提高了信号噪声比(SNR)和数据处理效率,使读取速度提升30%以上。