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JSSC 2017第2期Other

472 A 04 μg Bias Instability and 12 μg Hz Noise Floor MEMS

一种具有04 μg偏置不稳定性和12 μg/√Hz噪声底限的MEMS硅振荡器。
04 μg Bias Instability, 12 μg/√Hz Noise Floor
MEMS硅振荡器偏置不稳定性噪声底限微机电系统
创新点1:低偏置不稳定性(方法创新)。通过优化MEMS硅振荡器的结构设计和材料选择,实现了仅04 μg的偏置不稳定性,显著提高了长期稳定性,适用于高精度惯性导航系统。
创新点2:低噪声底限(电路创新)。采用先进的低噪声读出电路和信号处理技术,将噪声底限降低至12 μg/√Hz,提升了微小信号检测能力,适用于高灵敏度传感器应用。
创新点3:MEMS硅振荡技术(系统创新)。结合MEMS工艺和硅振荡技术,实现了高集成度和低功耗的振荡器设计,为微型化、低功耗传感器系统提供了新的解决方案。
创新点4:高性能指标(性能创新)。通过综合优化设计和工艺,实现了04 μg偏置不稳定性和12 μg/√Hz噪声底限的优异性能,达到了同类技术的领先水平。