← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2017第3期Other65nmBandgap Reference
A 56 ppmC Temperature Coefficient87 dB PSRR Sub 1 V Voltage Reference in 65 nm
65nm工艺下实现56 ppmC温度系数和87 dB PSRR的亚1V电压基准源
56 ppmC温度系数, 87 dB PSRR, 亚1V电压
电压基准源温度系数PSRR亚1V65nm工艺
▸创新点1：低温度系数设计（方法创新）。通过采用新型温度补偿技术和精确的器件匹配，实现了56 ppmC的超低温度系数，显著提升了电压基准的温度稳定性。
▸创新点2：高电源抑制比（电路创新）。通过优化带隙基准结构和电源噪声抑制电路，达到了87 dB的电源抑制比（PSRR），有效降低了电源波动对基准电压的影响。
▸创新点3：亚1V电压工作（系统创新）。在65 nm工艺下实现了低于1 V的工作电压，通过低功耗设计和电压域优化，扩展了电压基准在低功耗应用中的适用性。
▸创新点4：高精度器件匹配（电路创新）。采用先进的布局技术和校准方法，减少了工艺偏差对基准电压的影响，进一步提升了整体性能的稳定性。