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JSSC 2017第4期RF & Wireless28nm

SleepTalker A ULV 802154a IR UWB Transmitter SoC in 28 nm FDSOI Achieving 14 pJ

一款采用28nm FDSOI工艺的超低电压802.15.4a IR UWB发射器SoC,实现14pJ能效
28nm FDSOI, 14pJ/bit
超低电压UWB802.15.4a发射器SoC
创新点1:超低电压(ULV)设计方法创新,采用自适应体偏置技术(ABB)在28nm FDSOI工艺下实现0.3V工作电压,相比传统设计降低60%功耗,同时保持电路稳定性。
创新点2:802.15.4a IR UWB兼容性系统创新,通过数字辅助模拟架构实现精确脉冲成形,满足标准要求的500MHz带宽和-41.3dBm/MHz辐射限制,集成度提升40%。
创新点3:28nm FDSOI工艺优化电路创新,利用背栅偏置特性实现晶体管阈值电压动态调节,在14pJ/bit能效下达成3.5Mbps数据率,漏电流降低至传统工艺的1/8。
创新点4:混合信号时钟生成方案创新,结合环形振荡器与数字校准环路,在0.3V供电下实现±200ppm频率精度,面积缩减35%