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JSSC 2017第7期RF & Wireless65nm

A 65 nm CMOS Wideband TDD Front End With Integrated TR Switching via PA

65纳米CMOS工艺下的宽带TDD前端,通过PA复用实现集成TR开关
65nm CMOS, 宽带, TDD
CMOS宽带TDD前端PA复用
创新点1:PA复用技术(电路创新) - 通过共享功率放大器(PA)在发射和接收模式下的硬件资源,显著减少芯片面积和功耗,同时保持高线性度和效率,实测PA在2-6 GHz频段内效率达35%以上。
创新点2:集成TR开关(系统创新) - 采用创新的共源共栅结构实现低插损(1.5 dB)和高隔离度(>40 dB)的收发切换,省去传统TDD系统中的外部开关模块,实现全集成化前端。
创新点3:宽带TDD前端设计(方法创新) - 提出宽带阻抗匹配网络与可调谐滤波器的协同设计方法,支持2-6 GHz连续覆盖,在5G NR频段内实现<3 dB的增益波动和>20 dB的带外抑制。
创新点4:65 nm CMOS工艺优化(工艺创新) - 针对深亚微米工艺的寄生效应,开发分布式栅极偏置技术,将PA的功率附加效率(PAE)在6 GHz时提升12%,同时保持1.8V安全工作电压。