← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2017第9期RF & Wireless130 nm
A High Speed Efficient 220 GHz Spatial Orthogonal ASK Transmitter in 130 nm SiG
一篇关于130 nm SiGe工艺下220 GHz高速正交ASK发射器的IEEE JSSC论文
220 GHz, 130 nm SiGe
220 GHz正交ASKSiGe高速发射器130 nm工艺
▸创新点1：高频正交ASK调制方法创新，通过空间正交ASK调制技术，在220 GHz频段实现高效信号传输，显著提升频谱利用率。
▸创新点2：130 nm SiGe工艺电路创新，采用130 nm SiGe工艺实现高频电路设计，优化了晶体管性能，降低了功耗并提高了工作频率。
▸创新点3：高速发射器系统创新，设计了一种高速发射器架构，支持220 GHz频段的高速数据传输，实现了高达XX Gbps的传输速率。
▸创新点4：集成化设计创新，通过高度集成的电路设计，减少了芯片面积和外部组件需求，提高了系统的可靠性和成本效益。