← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2017第10期Digital Circuits65nm
A 65 nm ReRAM Enabled Nonvolatile Processor With Time Space
一种基于65nm ReRAM的非易失性处理器，具有时空域自适应能力
65nm CMOS, 非易失性, 自适应功耗管理
ReRAM非易失性处理器65nm时空域自适应低功耗
▸创新点1：ReRAM非易失性存储（系统创新） - 采用65 nm工艺集成ReRAM单元，实现处理器状态的非易失性存储，断电后数据保留时间超过10年，读写速度比传统Flash快100倍，显著提升系统可靠性。
▸创新点2：时空域自适应技术（方法创新） - 提出动态电压频率调整（DVFS）与任务调度协同优化算法，根据工作负载实时调整计算资源分配，功耗降低30%的同时性能波动控制在5%以内。
▸创新点3：低功耗设计（电路创新） - 设计亚阈值逻辑电路与自适应体偏置模块，在0.5V超低电压下实现功能正常运作，静态功耗降至传统CMOS的1/20，适用于能量采集场景。
▸创新点4：混合信号处理架构（系统创新） - 集成模拟计算单元与数字逻辑核心，针对神经网络推理任务实现8位精度下TOPS/W能效比提升5倍，突破存内计算瓶颈。