← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2017第11期Memory薄膜工艺（非传统硅基节点）SRAM
A Thin Film a IGZO 128b SRAM and LPROM Matrix With Integrated Periphery on Flex
柔性基板上集成IGZO薄膜128位SRAM与LPROM矩阵及外围电路的研究
128位存储容量，柔性基板兼容
IGZO薄膜柔性电子SRAMLPROM存储矩阵
▸采用IGZO薄膜技术实现柔性存储
▸集成SRAM与LPROM的混合存储矩阵
▸在柔性基板上实现完整外围电路集成