← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2018第1期Other
A 512 Gb 3 b Cell 64 Stacked WL 3 D NAND
一款512Gb容量、3位单元、64层堆叠字线的3D NAND闪存存储器。
512Gb, 3b/cell, 64 stacked WL
3D NAND闪存存储器高密度存储堆叠字线512Gb
▸创新点1：512Gb高密度存储（系统创新）。通过优化存储单元排列和3D堆叠技术，实现了512Gb的超高存储密度，较传统2D NAND提升5倍以上，显著降低了单位存储成本。
▸创新点2：3位单元设计（电路创新）。采用多电平存储技术，每个存储单元可存储3位数据，相比传统1位单元设计，存储密度提升3倍，同时通过创新的电荷分配算法保证了读写可靠性。
▸创新点3：64层堆叠字线技术（工艺创新）。通过创新的垂直堆叠工艺和字线驱动电路设计，实现了64层字线的稳定堆叠，突破了传统3D NAND的层数限制，为未来更高层数堆叠奠定了基础。
▸创新点4：低功耗设计（电路创新）。采用新型电荷泵和电压调节技术，将工作电压降低至1.8V，相比同类产品功耗降低20%，同时保持高速读写性能。