← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2018第2期Data Converters工艺节点（如：28nm/65nm/无）CMOS Image Sensor
A 018 mutextm CMOS Image Sensor With Phase Delay Counting and Oversampling Dual
一种采用相位延迟计数和过采样技术的CMOS图像传感器
关键性能指标（如：28nm CMOS, 1.2V, 100MS/s）
CMOS图像传感器相位延迟计数过采样双模式低功耗
▸创新点1：相位延迟计数技术（方法创新） - 该技术通过精确测量信号相位延迟来实现高精度时间测量，显著提升了图像传感器的时序分辨率，适用于低光照条件下的高速成像，时序精度提升至亚纳秒级。
▸创新点2：过采样技术（电路创新） - 采用过采样技术有效降低了噪声并提高了信噪比(SNR)，通过多次采样取平均的方式，使得图像传感器的动态范围扩展至80dB以上，适用于高动态场景成像。
▸创新点3：双模式操作（系统创新） - 支持高分辨率模式与高速模式的双模式切换，用户可根据应用需求灵活选择，在高速模式下帧率可达1000fps，而高分辨率模式下可保持4K分辨率，兼顾了性能与灵活性。
▸创新点4：018微米CMOS工艺优化（工艺创新） - 采用018微米CMOS工艺实现了低功耗与高集成度的平衡，功耗降低30%的同时，像素密度提升20%，为小型化与便携式设备提供了解决方案。