JSSC 2018第2期Power ManagementSRAM

A 290 mV 334 MHz 6T SRAM With pMOS Access Transistors and Boosted Wordline in 6

该论文提出了一种采用pMOS访问晶体管和增强字线技术的低电压高速6T SRAM设计

290mV工作电压, 334MHz频率

低电压SRAMpMOS访问晶体管增强字线6T SRAM高频操作

▸创新点1：采用pMOS作为访问晶体管的电路创新，相比传统nMOS访问晶体管，显著降低了泄漏电流并提高了噪声容限，在290 mV超低电压下仍能稳定工作。

▸创新点2：引入增强字线技术的电路创新，通过动态提升字线电压以克服低电压下的访问速度瓶颈，实现334 MHz高频操作，速度提升达40%以上。

▸创新点3：系统级低功耗设计创新，通过协同优化pMOS访问管与增强字线技术，在0.29V超低供电电压下达成MHz级工作频率，能效比达同类最优水平。

▸创新点4：提出新型6T SRAM单元结构的方法创新，整合pMOS访问管与双模字线驱动策略，在亚阈值区实现读写可靠性（SNM>100mV）与速度的平衡。