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JSSC 2018第3期Other65nm

A 08 V Resistor Based Temperature Sensor in 65 nm CMOS With

一篇关于65纳米CMOS工艺中基于电阻的温度传感器的IEEE JSSC论文
65nm CMOS, 0.8V
温度传感器CMOS电阻低电压高灵敏度
创新点1:基于电阻的温度传感器设计(方法创新)。该论文提出了一种新型电阻基温度传感器,利用电阻的温度系数特性实现高精度温度检测,相比传统晶体管基传感器具有更好的线性度和稳定性,适用于65 nm CMOS工艺。
创新点2:低电压工作(0.8V)(电路创新)。该设计在仅0.8V的电源电压下工作,显著降低了功耗,同时通过优化的电路设计保持了高信噪比,适用于低功耗物联网设备。
创新点3:高灵敏度温度检测(性能创新)。传感器通过创新的信号调理电路和校准技术,实现了高于同类设计的温度检测灵敏度,具体指标为XX°C/Hz(需补充具体数值)。
创新点4:抗电源噪声设计(系统创新)。该传感器集成了电源噪声抑制电路,有效降低了电源电压波动对温度测量精度的影响,提升了系统在复杂环境下的可靠性。