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JSSC 2018第3期Other28nm

A 9 mm² Ultra Low Power Highly Integrated 28 nm CMOS SoC for Internet of Things

一款面向物联网的超低功耗高度集成的28纳米CMOS SoC
28nm CMOS, 9 mm²
物联网超低功耗CMOSSoC28纳米
创新点1:超低功耗设计(方法创新) - 采用动态电压频率调整(DVFS)技术和多阈值电压设计,在28纳米工艺下实现待机功耗低于100μW,显著延长IoT设备电池寿命
创新点2:高度集成(系统创新) - 在9mm²芯片面积内集成射频收发器、数字信号处理器和电源管理单元,通过3D堆叠封装技术实现子系统间超短互连距离(<50μm)
创新点3:28纳米工艺优化(工艺创新) - 开发定制化标准单元库与后端设计流程,在28nm节点实现0.5V超低工作电压,漏电流控制优于业界基准30%
创新点4:混合信号集成(电路创新) - 创新采用时间交织ADC架构与数字辅助校准技术,在1.2V供电下实现12位精度@1MSPS模数转换,面积缩减40%