▸创新点1：4 2T SRAM结构（电路创新）。该结构采用4晶体管2电阻的独特设计，相比传统6T SRAM减少了晶体管数量，降低了单元面积和功耗，同时保持了稳定的存储特性，适用于高密度内存应用。
▸创新点2：支持内存计算（系统创新）。通过在SRAM阵列中集成计算逻辑，实现了数据存储与计算的并行处理，显著减少了数据搬运开销，提升了能效比，特别适合AI和机器学习应用场景。
▸创新点3：低至0.3V的工作电压（电路创新）。通过优化晶体管阈值电压和电路设计，实现了超低电压工作，大幅降低了动态功耗，使该SRAM在物联网和边缘计算等低功耗场景中具有显著优势。
▸创新点4：高可靠性设计（方法创新）。采用新型噪声抑制技术和冗余存储方案，在低电压下仍能保证数据完整性，误码率低于1e-9，解决了传统SRAM在近阈值电压下的稳定性问题。