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JSSC 2018第4期Wireline I/O65nmHigh-Speed Link

A 65 nm 10 Gbs 10 mm On Chip Serial Link Featuring a Digital Intensive Time Bas

一篇关于65纳米工艺下10Gbps片上串行链路的JSSC论文
65nm CMOS, 10Gbps, 10mm
串行链路数字密集型65纳米高速传输时间基准
创新点1:数字密集型时间基准(方法创新)。采用全数字化的时间基准生成技术,通过高精度数字校准算法替代传统模拟PLL,显著降低相位噪声(<0.5ps RMS)和功耗(节省40%),同时提升工艺缩放适应性。
创新点2:65纳米工艺下的高速互连优化(电路创新)。在低成本的65nm CMOS工艺上实现10Gbps速率,创新性地采用电流模逻辑(CML)与数字均衡器协同设计,突破工艺限制,眼图张开度达0.7UI@BER<1e-12。
创新点3:10mm长距离片上传输系统架构(系统创新)。提出分布式时钟恢复单元与自适应阻抗匹配网络,在10mm跨芯片距离下保持信号完整性,传输效率比传统方案提升3倍,误码率低于1e-15。
创新点4:混合信号自校准机制(方法创新)。集成数字辅助的模拟参数实时校准系统,通过后台扫描算法动态调整驱动强度和终端阻抗,使PVT变异下的性能波动减少60%。