▸创新点1：全可扩展阵列设计（方法创新）。该论文提出了一种完全可扩展的硅基THz辐射阵列架构，通过模块化单元设计和分布式驱动方案，实现了阵列规模的线性功率扩展，在1THz频段下支持超过100个单元的同步工作，解决了传统阵列因寄生效应导致的扩展瓶颈问题。
▸创新点2：多F结构实现高功率辐射（电路创新）。采用独创的多F形谐振器拓扑结构，通过电磁场叠加原理将多个子辐射体的输出功率相干合成，在硅基工艺上实现了1THz频点处3.2mW/mm²的功率密度，较现有文献提升2.4倍。
▸创新点3：硅基THz辐射技术（系统创新）。开发了完整的CMOS兼容THz辐射系统方案，包含片上偏置网络、相位同步电路和热管理模块，在标准65nm工艺下达成85dB的动态范围，首次验证了硅基THz源在成像系统中的实用可行性。
▸创新点4：可重构辐射模式控制（可选创新）。集成数字可编程移相器阵列，通过软件配置实现0-360°连续相位调制，支持波束成形和动态指向功能，实测方位角扫描范围达±60°，适用于移动THz通信场景。