← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2018第7期Other28nm
A 27 pJcycle 16 MHz 07μWDeep Sleep Power ARM Cortex M0 Core SoC in 28 nm FD SOI
一款采用28nm FD SOI工艺的低功耗ARM Cortex M0核心SoC，具有27 pJ/cycle能效和0.7μW深度睡眠功耗。
27 pJ/cycle, 16 MHz, 0.7μW深度睡眠功耗
低功耗ARM Cortex M0SoC28nm FD SOI能效
▸低功耗设计（0.7μW深度睡眠功耗）
▸高能效（27 pJ/cycle）
▸采用28nm FD SOI工艺