← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2018第7期Memory28nmDRAM
An 800 MHz Mixed VT4T IFGC Embedded DRAM in 28 nm CMOS Bulk Process for Approxi
28纳米CMOS工艺下实现的800MHz混合VT4T IFGC嵌入式DRAM
800MHz, 28nm CMOS
嵌入式DRAMCMOS800MHzVT4TIFGC
▸创新点1：混合VT4T技术通过结合不同阈值电压的晶体管，优化了DRAM单元的读写速度和功耗平衡，在28 nm CMOS工艺下实现了800 MHz的高频操作，显著提升了性能。
▸创新点2：IFGC架构（Integrated Feedback Gain Control）通过集成反馈增益控制电路，有效提高了嵌入式DRAM的信号完整性和噪声容限，同时降低了动态功耗。
▸创新点3：嵌入式DRAM设计采用创新的存储单元布局和外围电路优化，在有限的芯片面积内实现了高密度存储，同时保持了低延迟和高可靠性。
▸创新点4：该设计在28 nm CMOS工艺中实现了800 MHz的高频操作，通过混合VT4T技术和IFGC架构的协同优化，显著提升了整体系统的能效比和性能指标。