← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2018第9期Other14nm
A 4 x 45 Gbs Two Tap FFE VCSEL Driver in 14 nm FinFET CMOS Suitable for Burst M
一篇关于采用14纳米FinFET CMOS工艺设计的4×45 Gbs双抽头FFE VCSEL驱动器的论文。
4×45 Gbs, 14 nm FinFET CMOS
VCSEL驱动器FinFET CMOS前馈均衡高速数据传输14纳米工艺
▸采用14纳米FinFET CMOS工艺
▸支持4×45 Gbs高速数据传输
▸双抽头FFE（前馈均衡）设计