← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2018第10期RF & Wireless工艺节点（如：28nm/65nm/无）
A Coupled RTWO Based Subharmonic Receiver Front End for 5GE Band
基于耦合RTWO的次谐波接收器前端设计，适用于5GE频段回程链路
关键性能指标（如：28nm CMOS, 1.2V, 100MS/s）
5GERTWO次谐波接收器回程链路前端设计
▸创新点1：采用耦合RTWO技术实现高频信号处理，通过旋转行波振荡器（RTWO）的耦合设计提升相位噪声性能和频率稳定性，适用于5GE频段的高精度需求（30字以上）
▸创新点2：次谐波接收架构的创新设计，通过次谐波混频降低本地振荡器频率要求，同时保持高线性度和低功耗，显著优化了接收前端在5GE频段的整体性能（30字以上）
▸创新点3：优化5GE频段性能的系统级创新，通过联合优化RTWO和次谐波混频器的设计，实现了更低的功耗和更高的信噪比，适用于高速回传链路的严格要求（30字以上）
▸创新点4：电路创新中的低噪声放大器（LNA）设计，结合RTWO技术进一步降低了前端噪声系数，提升了接收灵敏度，为5GE频段应用提供了更高的信号完整性（30字以上）