← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2019第9期RF & Wireless45-nm SOI CMOS
Analysis and Design of Wideband IQ CMOS 100200 Gbs Modulators Hasan Al-Rubaye an
本文介绍了一种宽带I/Q CMOS调制器的分析与设计，适用于下一代无线回程链路。
60 dB动态范围，1-GHz带宽，OP1dB ∼−10 dBm，200 Gb/s 16-QAM
宽带调制器CMOS无线回程高容量数据中心互连
▸宽带正交信号发生器：采用创新的45-nm SOI CMOS工艺设计，支持DC-60 GHz的超宽带工作范围，解决了传统I/Q调制器带宽受限的问题，显著提升了多标准无线回程链路的兼容性。
▸DC-100 GHz低噪声双平衡混频器：通过电流组合技术实现超宽带低噪声性能，动态范围达到60 dB（1-GHz带宽），OP1dB为-10 dBm，为高阶调制方案（如256-QAM）提供了硬件基础。
▸1-pJ/bit调制效率：通过优化电路架构和功耗管理，在200 Gb/s（16-QAM，50 Gbaud/s）速率下仅消耗200 mW，创下能效纪录，适用于数据中心互连和芯片间通信等低功耗场景。
▸系统级集成创新：将宽频带信号生成、缓冲和混频功能集成于1.4 mm²芯片，实现高动态范围（60 dB）与高频谱效率的协同优化，为下一代无线通信系统提供紧凑型解决方案。
Abstract
This paper presents the analysis and design of
wideband I/Q CMOS modulators and transmitters. Non-idealities
and performance limitations of Cartesian transmitter and mod-
ulator systems are discussed, and circuit design techniques and
analyses are shown. A DC-60 GHz I/Q modulator/transmitter
chip in 45-nm SOI CMOS is presented as a critical building block
for next-generation multi-standard and high-capacity wireless
backhaul links. The modulator consists of a wideband quadrature
signal generator