← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2020第2期Power Management55nmLDONeural Network Accelerator
A 10-mA LDO With 16-nA IQ and Operating From 800-mV Supply
提出一种低静态电流、低电压工作的LDO稳压器，适用于低功耗应用。
55nm CMOS, 800mV, 16nA IQ, 10mA负载电流
LDO稳压器低静态电流低电压工作自适应偏置角跟踪负载
▸创新点1：基于差分翻转电压跟随器的轨到轨缓冲器（方法创新）。该缓冲器实现了零输入-输出电压偏移，并通过联合栅极和体驱动输出器件，无需额外放大器即可实现正向体偏置的体调制，显著降低了静态电流至16nA。
▸创新点2：自适应偏置的误差放大器（电路创新）。采用偏置整形块动态调整偏置电流，在高负载时实现电流限制，在中等负载时保持与输出电流的线性关系，从而在轻载时实现纳安级偏置并快速响应瞬态负载变化。
▸创新点3：角跟踪负载技术（系统创新）。通过跟踪工艺角和温度变化，动态调整输出器件的偏置电流至最小值，确保目标稳定性裕度，提升了全工况下的能效比（42.7dB PSRR up to 50kHz）。
▸创新点4：超低电压工作能力（系统创新）。整个LDO在800mV电源电压下稳定工作，结合上述技术实现了10mA驱动能力与16nA静态电流的极致能效平衡，适用于物联网等低功耗场景。
Abstract
A low-dropout (LDO) regulator with a quiescent
current in the tens of nanoampere range and operating from
800-mV supply is proposed. A rail-to-rail buffer with zero input–
output (I/O) voltage shift and based on the differential flipped
voltage follower is used for combined gate and bulk driving
of the output device. Therefore, bulk modulation with forward
body bias is implemented without any additional amplifier. The
proposed buffer is a crucial block for the sub-1-V supply and for
limiting the c