← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2020第5期RF & Wireless22nmLNANeural Network Accelerator
A 17-dB Minimum NF- 22-32-GHz Low-Noise Feedback Amplifier With Multistage Noise
采用22nm SOI-CMOS工艺实现的多级噪声匹配低噪声反馈放大器，最小噪声系数1.7dB，带宽22-32GHz。
22nm SOI-CMOS, 1.7dB NF, 21.5dB gain, 22-32GHz BW, 17.3mW power
低噪声放大器SOI-CMOS噪声匹配宽带反馈放大器
▸创新点1：多级噪声匹配技术（方法创新） - 通过级间噪声匹配优化，实现了1.7 dB的超低噪声系数（NF），并在10 GHz带宽内保持NF低于1.98±0.25 dB，显著提升了毫米波频段的噪声性能。
▸创新点2：FET背栅调制实现动态直流功耗控制（电路创新） - 采用背栅调制技术实现动态功耗调节，在功耗从17.3 mW降至5.6 mW时，噪声系数仅增加0.5 dB，同时保持输入回波损耗优于10 dB，解决了传统LNA功耗与性能的权衡难题。
▸创新点3：宽带宽低噪声设计（系统创新） - 在22-32 GHz有效带宽内同时实现21.5 dB峰值增益和10 dB以上的输入/输出回波损耗，通过两级放大器拓扑和反馈结构扩展了工作带宽至19-36 GHz。
▸创新点4：22nm FD-SOI工艺适配（工艺创新） - 利用全耗尽绝缘体上硅工艺的高频特性，实现了第三阶输入截点-13.4 dBm的线性度表现，为毫米波SOC集成提供了可行性验证。
Abstract
A low-noise feedback amplifier (LNA) with
interstage noise matching is implemented in 22-nm fully depleted
silicon-on-insulator (SOI)-C MOS technology. Minimum noise
figure (NF) is 1.7 dB centered at 28 GHz, and NF remains below
1.98±0.25 dB across a 10-GHz range. Peak gain of the two-stage
LNA is 21.5 dB at 22 GHz, and the bandwidth (BW) for |S
21| is
19–36 GHz. Input and output return losses are better than 10 dB
across an effective LNA BW of 22–32 GHz. The third-order input
intercept is −13.4 d