← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2020第5期RF & Wireless22nm FDSOI
A Fully Passive RF Front End With 13-dB Gain Exploiting Implicit Capacitive Stac
提出一种利用新型电容堆叠技术的低功耗抗干扰混频器前端，实现13dB增益。
13dB电压增益，OOB IIP3/IIP2 +25/+66 dBm，5dB噪声系数，600µW功耗，LO=1GHz
电容堆叠混频器前端低功耗抗干扰变压器
▸创新点1：电容堆叠技术（方法创新） - 通过从N-path电容器的底部板而非顶部板读取电压，实现隐式电容堆叠，在降频转换后提供2倍电压增益，显著提升信号处理效率。
▸创新点2：底部板电压读出（电路创新） - 采用新颖的底部板电压读出机制，优化了传统N-path滤波器的信号路径，降低了噪声干扰，同时实现了13 dB的电压增益。
▸创新点3：变压器提升线性度（系统创新） - 利用步进变压器改善N-path混频器中开关的带外线性度性能，减少开关驱动器的功耗，使OOB IIP3/IIP2分别达到+25/+66 dBm。
▸创新点4：宽频带操作（系统创新） - 通过变压器设计，原型芯片在0.6–1.2 GHz的输入频率范围内实现超过10 dB的电压增益和5–9 dB的噪声系数，支持低功耗软件定义无线电应用。
Abstract
A low-power interferer-robust mixer-first receiver
front end that uses a novel capacitive stacking technique in a
bottom-plate N-path filter/mixer is proposed. Capacitive stacking
is achieved by reading out the voltage from the bottom plate of
N-path capacitors instead of their top plate, which provides a
2× voltage gain after downconversion. A step-up transformer is
used to improve the out-of-band ( OOB) linearity performance of
small switches in the N-path mixer, thereby reducing the power
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