← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2020第9期Other250-nm InP
Introduction to the Special Section on the 2019 IEEE BCICTS Conference
2019年IEEE BCICTS会议特刊介绍，涵盖SiGe和III-V/CMOS集成电路技术的最新研究。
无
SiGeIII-V/CMOS集成电路光学通信毫米波
▸创新点1：光学发射器前端设计（系统创新） - 该论文提出了一种基于2:1模拟多路复用器（AMUX）的光学发射器前端，用于超1Tb/s/载波的相干光通信系统，通过单片集成AMUX与光学调制器驱动器，实现了超过80 GHz的电光带宽，支持168-GBaud PDM 16QAM调制。
▸创新点2：InP双异质结集成（工艺创新） - 采用自主研发的250-nm InP双异质结双极晶体管（DHBT）工艺，实现了AMUX与光学调制器驱动器的单片集成，提升了电路的性能和集成度。
▸创新点3：高速数字电路应用（电路创新） - 论文展示了InP DHBT工艺在高速数字电路中的应用，通过优化电路设计，实现了超1Tb/s/载波的高速率数据传输，为未来光通信系统提供了可行的解决方案。
▸创新点4：300-GHz波段无线收发器前端（系统创新） - 论文还介绍了基于InP工艺的300-GHz波段120-Gb/s无线收发器前端，展示了其在毫米波通信中的高性能潜力。
Abstract
e
Circuits features expanded versions of key invited papers
that were presented at the 2019 IEEE BiCMOS and Compound
Semiconductor Integrated Circuits and Technology Sympo-
sium (BCICTS), held at Loews Vanderbilt Hotel, Nashville,
TN, USA, on November 3–6, 2019.
Following the merging of the Compound Semiconductor IC
Symposium (CSICS) and the Bipolar/BiCMOS Circuit and
Technology Meeting (BCTM) in 2018, BCICTS carries on
the legacy of both conferences and offers a unique gathering
of researchers