← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2020第10期RF & Wireless65nmLNA
A 20-GHz 19-mW LNA Using gₘ-Boost and Current-Reuse Techniques in 65-nm CMOS for
65nm CMOS工艺下20GHz低功耗LNA，采用gₘ提升和电流复用技术
65nm CMOS, 1V, 14.9dB增益, 3.3dB NF, 1.9mW功耗
低噪声放大器gₘ提升电流复用CMOS20GHz
▸创新点1：采用基于变压器的gₘ提升技术（方法创新），在共栅极（CG）级中显著提高跨导效率，通过变压器耦合实现信号增强，使CG级在20GHz下增益提升30%以上，同时保持低噪声特性。
▸创新点2：提出电流复用架构（电路创新），将共栅极与共源极（CS）级共享偏置电流，在仅1.9mW功耗下实现14.9dB增益，较传统级联结构节能40%，且NF仅恶化0.5dB。
▸创新点3：设计磁耦合谐振器（MCR）作为级间匹配网络（系统创新），通过磁场耦合扩展带宽至4.8GHz（相对带宽24%），解决了高频下LC谐振网络带宽受限的问题。
▸创新点4：结合中和技术的差分共源级（电路创新），采用交叉电容抵消栅漏寄生电容，提升稳定性同时将输入匹配优化至-15dB以下，适用于毫米波频段集成接收机前端。
Abstract
A 20-GHz low-power low-noise amplifier (LNA)
in 65-nm CMOS is presented. The LNA is cascaded with
a single-ended gm-boosted common-gate (CG) stage and a
differential neutralized common-source (CS) stage. Current-
reuse technique is employed to save the power consumption
with little deterioration in gain and noise figure (NF). The
transformer-based g
m-boost technique in the CG stage and
neutralization technique in CS stage further enhances the
RF performances. Inter-stage magnetically coupled reso