← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2020第10期OtherFlash Memory
Privacy Protection NAND Flash System With Flexible Data-Lifetime Control by In-3
提出一种隐私保护的NAND闪存系统,灵活控制数据生命周期。
3-D NAND闪存处理
隐私保护NAND闪存数据生命周期3-D处理安全存储
▸逆霍夫曼编码VTH调制(IHVM):通过逆向霍夫曼编码结合阈值电压调制技术,实现数据存储的动态加密与隐私保护,显著提升3D NAND闪存的数据安全性(方法创新)。该技术可动态调整编码策略,使未授权访问者无法通过常规手段解析数据。
▸立即删除命令(IDC):提出硬件级即时删除指令,可在微秒级时间内彻底擦除指定数据块,解决传统闪存擦除延迟导致的数据残留问题(系统创新)。实测擦除速度比传统方法快10倍以上,满足隐私数据的紧急销毁需求。
▸自适应生命周期扩展(ALE):基于电荷迁移模型开发的自适应算法,可动态延长数据保存周期达3-5倍(电路创新)。通过实时监测存储单元电荷状态,智能调整刷新策略,在保持数据完整性的同时突破传统NAND的数据保留时限。
▸自适应生命周期缩短(ALR):创新性地利用3D NAND垂直结构的电荷迁移特性,通过可控电荷泄漏机制主动缩短数据寿命(工艺创新)。支持从分钟级到年级的精确寿命调控,填补了闪存数据时效性控制的技术空白。
Abstract
This article proposes a privacy-aware data-lifetime
control NAND flash system (PDLCS) that changes the data-
lifetime flexibly for privacy protection. The proposed PDLCS
consists of four proposed techniques: 1) inverse Huffman-coding
VTH modulation (IHVM); 2) immediate delete command (IDC);
3) adaptive lifetime extension (ALE); and 4) adaptive lifetime
reduction (ALR), with In-3-D vertical cell processing of 3-D
NAND
flash memories. This system realizes both short- and long-term
data lifetimes. Fur