← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2020第11期RF & Wireless40nmPower Amplifier
A Broadband Switched-Transformer Digital Power Amplifier for Deep Back-Off Effic
本文提出了一种基于开关变压器的宽带数字功率放大器,用于深度回退效率提升。
40nm CMOS, 1.1V, 0.7×1.15mm²芯片面积
开关变压器数字功率放大器深度回退效率动态负载调制CMOS
▸创新点1:单变压器并联组合变压器(PCT)功率合成器(电路创新)。该设计采用单变压器结构实现功率合成,显著减小了芯片面积,仅占用0.7×1.15 mm²,同时支持1.3-3.5GHz的宽频覆盖,提升了集成度和频率适应性。
▸创新点2:1.3-3.5GHz宽频覆盖(系统创新)。该DPA在1.3-3.5GHz范围内实现了高效的功率放大,适用于多种通信标准,如LTE和WLAN,展现了其广泛的应用潜力。
▸创新点3:动态负载调制(电路创新)。通过动态负载调制技术,该DPA在0-/6-/12-/18-dB功率回退(PBO)水平下分别实现了31.3%、27.7%、16.6%和7.7%的功率附加效率(PAE),显著提升了在深度回退条件下的能效。
▸创新点4:超紧凑芯片尺寸(电路创新)。采用40-nm CMOS工艺,仅需1.1V供电,芯片面积仅为0.7×1.15 mm²,实现了高集成度和低功耗,适合移动设备应用。
Abstract
This article presents a switched-transformer-based
polar Doherty digital power amplifier (DPA) for deep back-off
efficiency enhancement. A single-transformer-footprint parallel-
combining transformer (PCT) power combiner is introduced for
1.3–3.5-GHz wide frequency coverage, dynamic load modulation
at 0-/6-/12-/18-dB power back-off (PBO) levels, and an ultra-
compact die size. Implemented in 40-nm CMOS, the DPA is
powered by a 1.1-V supply and only occupies 0.7 × 1.15 mm
2
chip area. It achieves 2