← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2021第3期RF & WirelessSiGe BiCMOSRadar
Monostatic and Bistatic G-Band BiCMOS Radar Transceivers With On-Chip Antennas a
本文介绍了G波段单静态和双静态雷达收发器，集成片上天线，用于短距离高精度应用。
SiGe BiCMOS, 300/500 GHz fT/fMAX, 4-dBm PTX, 19-dB GRX
G波段雷达片上天线SiGe BiCMOS泄漏消除双折叠偶极子
▸创新点1：片上天线集成 - 采用局部背面刻蚀（LBE）技术实现双折叠偶极子天线与收发器的单片集成，在170 GHz频段达到5 dBi增益，解决了高频段天线与芯片协同设计的工艺兼容性问题（系统创新）
▸创新点2：可调泄漏消除器 - 在单静态雷达中设计动态可调的TX-RX泄漏补偿电路，通过自适应校准将近距离弱反射目标检测信噪比提升15 dB以上（电路创新）
▸创新点3：双折叠偶极子天线结构 - 创新性采用双重折叠拓扑提升辐射效率，相比传统偶极子天线在相同面积下增益提升2 dB，带宽扩展至34 GHz（器件创新）
▸创新点4：BiCMOS工艺高频优化 - 基于300/500 GHz fT/fMAX的SiGe HBT器件，实现32 GHz超宽带的收发系统，支持20 GHz扫频带宽和2.1 cm空间分辨率（工艺创新）
Abstract
This article presents G-band monostatic and bistatic
radar transceivers (TRX) incorporating on-chip antennas for
short-range high-precision applications. The circuits were fab-
ricated using a silicon–germanium (SiGe) BiCMOS technology
offering heterojunction bipolar transistors (HBTs) with f
T/fMAX
of 300/500 GHz. The monostatic TRX implements a tunable
leakage canceller (LC) for enhanced transmitter (TX)-to-receiver
(RX) leakage compensation and hence improved detectability of
weakly reflecting