← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2021第4期Analog Circuits0.18μm CMOSBandgap Reference
A Single-Trim Switched Capacitor CMOS Bandgap Reference With a 3 σ Inaccuracy of
提出一种单修调开关电容带隙基准电路，采用β补偿和曲率校正技术，结合DEM技术，实现高精度温度稳定性。
3σ不准确度+0.02%, −0.12%（-40°C至125°C），功耗17μA@27°C，面积0.38mm²
带隙基准开关电容单修调β补偿动态元件匹配
▸创新点1：单修调技术（系统创新） - 通过单次室温修调实现全温度范围内的PTAT误差消除，显著简化了传统多温度点修调的复杂流程，同时达到±0.12%的3σ精度指标。
▸创新点2：β补偿与曲率校正（电路创新） - 采用β补偿技术抵消PNP晶体管电流增益的非线性影响，结合高阶曲率校正电路，将非PTAT误差降低至0.02%量级。
▸创新点3：动态元件匹配技术（方法创新） - 创新性地利用ΔΣ ADC的抽取滤波器实现数字域低通滤波DEM，有效抑制偏置电流、β失配及SC求和放大器增益系数的失配误差。
▸创新点4：开关电容架构创新（电路创新） - 采用SC电路实现带隙基准求和放大，相比传统电阻方案，在0.18μm CMOS工艺下实现0.38mm²的小面积和17μA的低功耗。
Abstract
This article presents a single-trim switched capaci-
tor (SC) CMOS bandgap reference (BGR) for battery monitoring
applications. For a single-temperature trimming, β-compensation
and curvature correction techniques are employed to minimize
non-proportional-to-absolute-temperature (PTAT) errors. In con-
junction with these techniques, this article proposes dynamic
element matching (DEM) techniques with low-pass filtering which
employs the decimation filter of a delta-sigma analog-to-digital
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