← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2021第6期RF & Wireless45nm CMOS SOINeural Network Accelerator
03 An LO Leakage Suppression Technique for Blocker-Tolerant Wideband Receivers W
提出一种抑制LO泄漏的宽带抗阻塞接收机技术。
0.2-2 GHz, LO泄漏<-80 dBm, 噪声系数<2.5 dB, 总功耗95 mW
LO泄漏抑制宽带接收机抗阻塞高Q值选择性CMOS SOI
▸创新点1：采用带通共栅结构实现高Q值选择性（电路创新）。该结构直接在射频输入端实现高Q值滤波，避免了传统低噪声放大器（LNA）后级滤波的损耗，显著提升了接收机的带外抑制能力，Q值可调范围覆盖0.2至2 GHz。
▸创新点2：显著抑制LO泄漏（系统创新）。通过优化共栅结构的隔离特性，将LO泄漏抑制到-80 dBm以下，解决了宽带接收机中LO信号回馈至天线端的共性问题，提升了系统线性度。
▸创新点3：宽带可调高Q值选择性（方法创新）。结合可调谐电容和电感网络，实现0.2-2 GHz连续频率覆盖，同时保持噪声系数低于2.5 dB（无阻塞时）和6.7 dB（80 MHz偏移0 dBm阻塞时），兼顾宽带与抗干扰性能。
▸创新点4：高线性度设计（电路创新）。在100 MHz偏移频率下测得OOB IIP2达+60 dBm、IIP3达+14 dBm，通过共栅结构的对称布局和偏置优化，显著提升了大信号阻塞场景下的动态范围。
Abstract
A wideband blocker-tolerant receiver (RX) employ-
ing a novel local oscillator (LO) leakage suppression technique is
presented. At the core of this RX, lies a bandpass common-gate
structure that realizes high- Q selectivity directly at RF input
while greatly suppressing LO leakage coupled to the RX input.
The RX prototype, manufactured in a 45-nm CMOS SOI process,
achieves wideband tunable high- Q selectivity from 0.2 to 2 GHz,
while the LO leakage stays well below −80 dBm. The noise
figure is be