JSSC 2021第9期OtherSiGe-Bipolar CMOS

Resolution-Related Design Considerations for a 120-GSs 8-bit 21 Analog Multiplex

本文介绍了一种在SiGe-Bipolar CMOS技术中实现的120-GS/s 8位模拟多路复用器，具有高分辨率设计考量。

120-GS/s, 8-bit

模拟多路复用器高分辨率SiGe-Bipolar CMOS频率域模型ENoB

▸创新点1：高分辨率设计考量（电路创新） - 论文提出了一种在SiGe-BiCMOS技术中实现120-GS/s 8-bit 2:1模拟多路复用器（AMUX）的高分辨率设计方法，通过优化电路结构和参数选择，实现了目前所有半导体技术中报道的最高有效分辨率。

▸创新点2：频率域解释模型（方法创新） - 论文引入了一种频率域解释模型，用于分析在存在失配误差情况下信号对有效位数（ENoB）的贡献，该模型特别适用于分析AMUX设置中的时序和信号增益失配，为高线性度设计提供了理论支持。

▸创新点3：快速ENoB仿真和校准程序（系统创新） - 论文通过识别典型的ENoB与频率特性，开发了快速ENoB仿真方法和针对AMUX设置中不同失配类型的校准程序，显著提高了仿真效率和校准精度，并通过测量结果验证了其有效性。

▸创新点4：高线性度AMUX电路概念选择（电路创新） - 论文详细讨论了支持高线性度的AMUX电路概念选择，通过优化电路拓扑和参数配置，实现了在高速信号处理中的高线性度性能，进一步提升了系统的整体性能。

Abstract

This article presents a 120-GS/s 2:1 8-bit analog multiplexer (AMUX) in SiGe-Bipolar CMOS (BiCMOS) tech- nology that exhibits the highest effective resolution reported for an AMUX in any kind of semiconductor technology. This article presents the design considerations that have led to this high resolution. In particular, it contains a discussion on the choice of an AMUX circuit concept to support high linearity. A frequency-domain explanatory model for the signal contribu- tion to the effective