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JSSC 2021第11期Other65nm

Guest Editorial Introduction to the Special Issue on the 2021 IEEE International

IEEE JSSC特刊介绍2021 ISSCC精选论文，涵盖多个领域的技术进展。
1280×960格式传感器，3.5μm像素尺寸
IEEE JSSCISSCC成像器MEMS深度传感
▸创新点1：4-tap快速电荷解调成像器（电路创新）：该技术通过引入4-tap快速电荷解调机制，显著提升了深度传感的精度和速度，实现了9.1 pJ/pixel的优异能效比。
▸创新点2：晶圆堆叠工艺技术（工艺创新）：采用65nm特征尺寸的双层晶圆堆叠工艺，有效缩小了像素尺寸至3.5μm，同时提高了集成度和性能。
▸创新点3：小型化像素设计（系统创新）：通过优化像素结构和布局，实现了1280×960格式传感器的最小化设计，显著提升了空间利用率和成像质量。
▸创新点4：时钟交错设计（电路创新）：引入新颖的时钟交错设计，有效管理峰值电流，进一步提升了系统的稳定性和能效。
Abstract
International Technical Program Committee (ITPC) of the IEEE International Solid-State Circuits Confer- ence (ISSCC) selects outstanding articles from the papers presented at the conference and invites the authors to sub- mit a manuscript to the special issue of IEEE J OURNAL OF SOLID -STATE CIRCUITS (JSSC). The manuscripts offer extended materials such as in-dep th circuit descriptions, more experimental results, and benchmarking data. The manuscripts subsequently undergo a rigorous review pro