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JSSC 2023第5期RF & Wireless45-nm CMOS SOIPower Amplifier

A Millimeter-Wave Three-Way Doherty Power Amplifier for 5G NR OFDM Xiaohan Zhang

一种用于5G NR OFDM的毫米波三路Doherty功率放大器,具有高效率和低失真特性。
38 GHz, 13.7%/11.0% PAE at 9.5-/11.5-dB back-off, 11.3 dBm average output power, 14.7% average efficiency, -25-dB EVM
毫米波Doherty功率放大器5G NROFDMCMOS SOI
创新点1:毫米波三路Doherty输出网络设计(方法创新)。提出了一种新型的三路Doherty输出网络合成方法,能够在38 GHz毫米波频段实现接近理想的三路Doherty操作,显著提高了功率放大器的回退效率。该方法通过优化网络结构,实现了13.7%/11.0%的功率附加效率(PAE)在9.5/11.5 dB回退点。
创新点2:降低回退时的阻抗变换比(电路创新)。通过创新的网络合成方法,有效降低了回退工作点时的阻抗变换比,从而减少了匹配网络的损耗,提升了整体效率。这一技术使得在5G NR OFDM信号下实现了14.7%的平均效率和11.3 dBm的平均输出功率。
创新点3:直接吸收器件寄生电容(电路创新)。提出了一种新颖的电路设计技术,能够直接吸收功率器件中的寄生电容,避免了传统设计中寄生电容对性能的负面影响,从而提高了电路的稳定性和效率。
创新点4:设计鲁棒性与可靠性验证(系统创新)。通过多样品测试和PA寿命测试,验证了设计的鲁棒性和可靠性,展示了其在5G NR FR2 64-QAM OFDM信号下的优异性能(-25 dB EVM),为毫米波PA的实际应用提供了有力支持。
Abstract
This article presents a millimeter-wave (mmWave) three-way Doherty output network and its silicon implementation at 38 GHz for 5G new radio (NR) orthogonal frequency-division multiplexing (OFDM). The proposed network synthesis method- ology can realize impedance levels that are close to the ideal three-way Doherty operation, reduce the impedance transforma- tion ratio at back-off, and directly absorb the device’s parasitic capacitance. Its design procedure and tradeoffs are discussed in detail.