← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2023第7期RF & Wireless45nm SOI
A Reflection-Mode N -Path Filter Tunable F r o m6t o3 1G H z Sandeep Hari Studen
一篇关于6至31GHz反射模式N路径可调滤波器的IEEE JSSC论文，采用45nm SOI技术实现。
6-31GHz可调范围，最大3dB RF带宽0.47GHz，插入损耗<7dB
反射模式滤波器N路径滤波器可调滤波器SOI技术射频滤波器
▸创新点1：反射模式N路径滤波器设计（方法创新）。通过四相被动混频器实现带内高阻抗和带外50Ω匹配阻抗，利用开关的导通电阻实现信号反射与吸收，中心频率由本地振荡器频率设定，实现了6-31GHz的可调谐带通滤波功能。
▸创新点2：集成片上混合耦合器（电路创新）。将混合耦合器与混频器直接集成在45nm SOI工艺中，通过耦合器端口终止设计简化系统结构，同时保证带内信号反射和带外信号吸收的高效性。
▸创新点3：可调带宽的主动基带负载（系统创新）。通过可调谐的主动基带负载提供二阶电容响应，将滚降斜率提升至12 dB/octave，支持窄带（0.22 GHz）和宽带（1.22 GHz）两种模式切换，显著提高滤波器的频率选择性。
▸创新点4：低损耗与高线性度性能优化（性能创新）。在三种工作模式下均实现插入损耗<7 dB，带内输入三阶交调截点（IIP3）<−2.2 dBm，带外IIP3>11 dBm，同时功耗控制在75-320 mW范围内，平衡了滤波性能与能效。
Abstract
A 6-to-31-GHz reflection-mode N-path filter is
implemented in 45-nm SOI technology. The filter includes an
on-chip hybrid coupler with through and coupled ports termi-
nated with four-phase passive mixers. Each mixer provides a
high impedance in-band and a matched, 50- impedance out-
of-band (OOB) that is provided by the
ON-resistance of the
switches. As such, in-band signals are reflected by the mixers,
and OOB signals are absorbed. This enables reflection-mode
bandpass filtering of the signal, wit