← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2023第11期Image Sensors
A Three-Wafer-Stacked Hybrid 15-MPixel CIS 1-MPixel EVS With 46-GEvents Readout
提出了一种三片堆叠的混合图像传感器,结合了1500万像素CIS和100万像素EVS,实现了高事件读取率。
EVS像素噪声率<1Hz, 对比度非均匀性3%, 事件读取速率4.6 GEvents/s
混合图像传感器事件视觉传感器晶圆堆叠高读取速率时间数字转换
▸创新点1:三片晶圆堆叠设计(系统创新)。通过将CIS像素阵列、EVS读出电路和外围电路分别集成在三片晶圆上,实现了紧凑的传感器布局,显著减小了封装尺寸和成本,同时解决了同步和视差误差问题。
▸创新点2:EVS像素噪声率低于1Hz(电路创新)。采用优化的光电转换和信号处理电路,使事件像素在15%的线性标称对比度阈值下实现亚1Hz的噪声率和3%的对比度非均匀性,提升了低光环境下的检测精度。
▸创新点3:事件读取速率高达4.6 GEvents/s(系统创新)。通过创新的行和列读出电路设计,跳过无事件像素,并仅读取事件边界像素,大幅提高了事件数据的处理效率,支持高速动态场景捕获。
▸创新点4:集成片上信号处理器(系统创新)。内置图像信号处理器(ISP)和事件信号处理器(ESP),支持全局环境光监测、活动监测及多种闪烁抑制功能(如对比度阈值调整、带通滤波和ROI),增强了系统智能化与适应性。
Abstract
We introduce a hybrid 4096 × 3680 CMOS image
sensor (CIS) with an embedded 1032 × 928 event-based vision
sensor (EVS). Within a four-by-four cluster of CIS pixels, one
color channel is substituted to provide a photocurrent for an
EVS pixel. The EVS readout circuit is allocated on a second
wafer and wrapped behind the four-by-four pixel cluster. A third
wafer is used to integrate all peripheral readout circuitry for
the EVS and CIS functions while achieving a compact sensor
footprint. The EVS pix