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JSSC 2024第7期Memory65nmEmerging MemoryCIM

A 65-nm RRAM Compute-in-Memory Macro for Genome Processing Fan Zhang

首款基于RRAM的存内计算宏单元,专为基因组处理优化。
65nm CMOS, 1.0V, 2.07 TOPS/W, 2.12 G suffixes/J
RRAM存内计算基因组处理DNA比对mRNA定量
创新点1:采用RRAM存内计算宏单元设计,首次将HfO2 RRAM与65-nm CMOS单片集成,实现2.07 TOPS/W和2.12 G suffixes/J的能效比,显著提升基因组处理的并行计算能力。
创新点2:针对BWT-based DNA短读比对算法优化,支持并行XNOR操作、计数和加法等核心功能,解决了传统计算架构在基因组比对中的高延迟和高能耗问题。
创新点3:实现无比对mRNA定量分析,通过优化的存内计算架构直接处理原始数据,避免了传统方法中的序列比对步骤,大幅提高了分析效率。
创新点4:提出了一种新型的并行位操作电路设计,显著提升了基因组数据处理中的位操作速度,为高性能基因组分析提供了硬件支持。
Abstract
This work presents the first resistive random access memory (RRAM)-based compute-in-memory (CIM) macro design tailored for genome processing. We analyze and demon- strate two key types of genome processing applications using our developed CIM chip prototype: the state-of-the-art (SOTA) burrows–wheeler transform (BWT)-based DNA short- read align- ment and alignment-free mRNA quantification. Our CIM macro is designed and optimized to support the major functions essen- tial to these algorithms, e.g