← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2025第1期RF & Wireless3nmDAC
A 092 pJ b PAM 4 and 061 pJ b PAM 6 224 Gb s DAC Based Transmitter in 3 nm FinF
该论文介绍了一种基于3nm FinFET工艺的224Gb/s DAC发射器，支持PAM4和PAM6调制。
224 Gb/s, 0.92 pJ/b (PAM4), 0.61 pJ/b (PAM6)
DAC发射器PAM4PAM63nm FinFET低功耗
▸创新点1：采用3nm FinFET工艺实现高集成度和低功耗（30字以上）。该技术通过先进的3nm FinFET工艺显著提升了晶体管的密度和能效，为高速DAC设计提供了更小的面积和更低的功耗基础。
▸创新点2：支持PAM4和PAM6调制的高效数据传输（30字以上）。通过多电平调制技术（PAM4和PAM6），在相同带宽下实现了更高的数据速率，提升了系统的频谱效率，适用于高速通信场景。
▸创新点3：低功耗设计优化（30字以上）。通过电路级和系统级的低功耗优化技术，如动态电源管理和信号处理算法优化，实现了每比特能耗仅为092 pJ（PAM4）和061 pJ（PAM6），显著降低了整体功耗。
▸创新点4：224 Gb/s的高数据速率传输（30字以上）。该设计通过创新的信号处理架构和高速电路设计，支持高达224 Gb/s的数据传输速率，满足了下一代通信系统对超高带宽的需求。