← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2025第1期RF & Wireless3nm
A 224 Gb s 3 pJ bit 40 dB Insertion Loss Transceiver in 3 nm FinFET CMOS
3nm FinFET CMOS工艺下实现224Gb/s、3pJ/bit、40dB插入损耗的收发器
224Gb/s, 3pJ/bit, 40dB插入损耗
收发器3nm FinFET高速传输低功耗插入损耗
▸创新点1：采用3nm FinFET CMOS工艺（方法创新），实现了晶体管尺寸的进一步缩小和性能提升，显著提高了集成度和能效比，支持224Gb/s的高速数据传输。
▸创新点2：224Gb/s高速传输（系统创新），通过优化信号调制和时钟恢复技术，实现了业界领先的数据传输速率，适用于下一代通信和计算系统。
▸创新点3：3pJ/bit低功耗设计（电路创新），通过创新的电源管理和电路拓扑结构，显著降低了每比特能耗，提升了整体能效，适用于高密度集成应用。
▸创新点4：40dB插入损耗优化（系统创新），通过先进的均衡和信号完整性技术，有效补偿了高频信号在传输中的损耗，提升了通信链路的可靠性和距离。