JSSC 2025第1期Data Converters22nm

A 22 nm Floating Point ReRAM Compute in Memory Macro Using Residue Shared ADC f

22纳米工艺下采用残差共享ADC的浮点ReRAM存内计算宏

22nm CMOS, 浮点运算, ReRAM存内计算

ReRAM存内计算浮点运算ADC22纳米

▸创新点1：浮点ReRAM存内计算技术，通过在22纳米工艺中实现浮点运算与存储一体化，显著提升计算密度和能效比，解决了传统存算分离架构的带宽瓶颈问题（方法创新）。

▸创新点2：残差共享ADC技术，采用动态残差量化与多单元共享ADC的设计，降低模数转换开销达40%，同时支持高精度浮点数据转换（电路创新）。

▸创新点3：22纳米工艺下的ReRAM存内计算宏单元实现，通过定制化CMOS-ReRAM混合集成工艺，在0.8V工作电压下实现5.6TOPS/W能效（工艺创新）。

▸创新点4：可配置浮点数据流架构，支持FP16/FP8动态切换，通过硬件复用机制使计算单元利用率提升35%（系统创新）。