← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2025第1期Other3nm
A 3 nm FinFET 43 GHz 211 Mb mm2 Double Pumping 1 Read and 1 Write Psuedo 2 Port
一篇关于3nm FinFET工艺下43GHz 211Mb/mm²双泵伪双端口存储器的JSSC论文。
3nm FinFET, 43GHz, 211Mb/mm²
FinFET高频存储器双泵设计伪双端口高密度存储
▸创新点1：3nm FinFET工艺应用（方法创新），采用业界领先的3nm FinFET工艺，显著提升了晶体管的性能和能效，适用于高频高密度存储设计。
▸创新点2：双泵伪双端口设计（电路创新），通过双泵技术实现伪双端口功能，支持1读1写并行操作，提高了存储器的访问效率和吞吐量。
▸创新点3：高密度211Mb/mm²存储（系统创新），实现了高达211Mb/mm²的存储密度，突破了传统存储器的密度限制，适用于大规模数据存储应用。
▸创新点4：43GHz高频操作（性能创新），支持43GHz的高频操作，显著提升了存储器的数据传输速率，适用于高性能计算和通信系统。