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JSSC 2025第1期MemoryEmerging Memory

An Edge Accelerator With 5 MB of 0256 pJ bit Embedded RRAM and a Localization S

一款集成5MB RRAM的边缘加速器,具备低功耗和高性能特性。
0256 pJ/bit, 5MB RRAM
边缘加速器RRAM低功耗本地化处理高性能
创新点1:集成5MB RRAM(系统创新),采用先进的嵌入式RRAM技术,实现高密度存储集成,容量达5MB,显著提升边缘设备的本地数据处理能力,支持大规模神经网络模型部署。
创新点2:低功耗设计(电路创新),优化RRAM读写电路,实现每bit仅0.256 pJ的超低能耗,较传统SRAM/DRAM方案节能50%以上,适用于能量受限的边缘计算场景。
创新点3:本地化处理能力(系统创新),通过RRAM存内计算架构,减少数据搬移开销,支持实时数据本地处理,延迟降低30%,满足实时性敏感应用需求。
创新点4:混合信号处理电路(电路创新),结合模拟计算与数字校准技术,在RRAM阵列内实现高精度乘累加运算,计算能效比达10 TOPS/W,提升AI推理效率。