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JSSC 2025第2期RF & Wireless

A V Band 2 Gb s 65 dBm Low Power Transmitter in CMOS With On Chip Antenna and C

本文介绍了一种V波段2Gb/s、65dBm低功耗CMOS发射器,集成片上天线。
V波段, 2Gb/s, 65dBm
V波段CMOS低功耗发射器片上天线
创新点1:V波段发射器设计采用了创新的CMOS工艺实现高频信号处理,显著提升了传输速率至2 Gb/s,同时保持了较低的功耗,适用于高频通信系统。
创新点2:低功耗设计通过优化电路结构和电源管理策略,实现了65 dBm的高能效表现,特别适合便携式和电池供电设备。
创新点3:集成片上天线技术减少了外部组件的依赖,降低了系统复杂性和成本,同时提高了整体系统的紧凑性和可靠性。
创新点4:结合高频信号处理和低功耗设计,该发射器在性能和能效之间取得了卓越的平衡,为未来无线通信系统提供了可行的解决方案。