▸创新点1：1T1C DRAM架构的创新设计，通过单晶体管单电容结构显著提升存储密度和能效比，相比传统DRAM减少50%的面积开销，适用于内存计算（IMC）场景。
▸创新点2：位列加法功能的电路创新，在存储单元内直接实现加法运算，消除数据搬移开销，计算延迟降低30%，支持并行处理多位加法操作。
▸创新点3：紧凑高效的IMC系统架构，通过混合信号设计整合模拟计算与数字存储，运算能效达10TOPS/W，面积利用率提升40%，支持大规模矩阵运算加速。
▸创新点4：动态电压频率调节技术（DVFS）的集成创新，根据工作负载实时调整供电电压，在保持计算精度的前提下降低动态功耗20%。