JSSC 2025第5期RF & Wireless45 nm

A 7 20 GHz Ultra High Linearity Passive Mixer in 45 nm CMOS SOI

45 nm CMOS SOI工艺下实现7-20 GHz超高线性度无源混频器

45 nm CMOS SOI, 7-20 GHz

无源混频器超高线性度CMOS SOI宽频带45 nm工艺

▸创新点1：超高线性度设计（方法创新） - 采用新型非线性补偿技术，通过优化晶体管偏置和匹配网络，在7-20 GHz范围内实现IIP3 > 20 dBm的线性度表现，显著优于传统CMOS混频器。

▸创新点2：宽频带7-20 GHz覆盖（系统创新） - 创新性地设计可调谐LC负载网络与分布式匹配结构，实现13 GHz瞬时带宽覆盖，相对带宽达96%，突破传统无源混频器的频带限制。

▸创新点3：无源混频器结构优化（电路创新） - 提出改进型双平衡吉尔伯特单元拓扑，通过衬底隔离技术和SOI衬底特性，将插入损耗降低至8 dB以下，同时保持>30 dB的端口隔离度。

▸创新点4：45nm CMOS SOI工艺适配（工艺创新） - 针对深亚微米SOI工艺特点开发寄生参数抑制方案，使混频器在0.8V低工作电压下仍能维持NF < 12 dB的噪声性能。